Trên quy trình tạo các điểm nối trên wafer, việc còn sót lại chất dung môi không phải là vấn đề về mặt thẩm mỹ; đó là nguyên nhân khiến hiệu suất sản xuất bị giảm sút. Chỉ cần có một điểm lạnh trong khu vực bay hơi của chất dung môi, thì chất dung môi sẽ không thể bay hơi hết. Các viên hàn cũng sẽ bị lệch vị trí, và quy trình gia nhiệt để làm chảy chất hàn cũng sẽ bị sai lệch. Chúng tôi đã thiết kế nền tảng gia nhiệt dành cho quy trình này, với điều kiện nhiệt độ phải được kiểm soát chặt chẽ; mỗi wafer đều cần được xử lý lại nhiều lần.
Điều quan trọng nhất là hệ thống sử dụng tia hồng ngoại tần số cao từ các bộ phát quang để chiếu vào wafer. Hệ thống kiểm soát vòng khép kín giúp duy trì độ ổn định nhiệt độ ở mức ±0,1°C trên toàn bộ diện tích 200/300 mm. Thời gian phản ứng của hệ thống chỉ khoảng vài giây, vì vậy có thể theo dõi quá trình xử lý một cách chính xác mà không xảy ra sai lệch. Phòng sạch loại 1–100 được duy trì nhờ vào cấu trúc kiểm soát hạt bụi: vật liệu ít tỏa khí, hệ thống lọc HEPA, và bề mặt phẳng không có khe hở. Độ lặp lại của quy trình được đảm bảo ở mức ≤0,2% so với giá trị thiết lập, trong suốt hơn 5.000 giờ hoạt động. Nền tảng này còn tích hợp công nghệ SECS/GEM để giúp theo dõi quy trình và kiểm soát chất lượng.
Lý do tại sao phương pháp này hiệu quả: Việc bay hơi chất dung môi phải diễn ra trước khi hàn các điểm nối trên wafer, và chất dung môi không được để lại lớp màng hay gây ra hiện tượng ôxy hóa. Độ ổn định nhiệt độ giúp tránh hiện tượng nứt vỡ chất dung môi và loại bỏ các khuyết tật liên quan đến quá trình gia nhiệt. Nhờ đó, độ cao của các điểm nối trên wafer được kiểm soát chặt chẽ, giúp giảm thiểu việc phải sửa chữa lại wafer. Việc sử dụng nguồn năng lượng được kiểm soát thông qua việc điều khiển bộ phát quang và luồng khí tuần hoàn, giúp giảm chi phí sản xuất mà vẫn đảm bảo được nhiệt độ cần thiết cho quy trình sản xuất với tốc độ cao. Kết quả là ít xảy ra sai lệch trong quy trình, thời gian bảo trì dễ dự đoán, và chất lượng sản phẩm luôn ổn định.
Một vài lưu ý thực tế: Nền tảng này cần nguồn điện 208–240 V, ba pha, cùng hệ thống khí nén để vận hành các bộ phận liên quan đến việc xử lý khí. Cần chừa khoảng cách 12–16 inch ở tất cả các phía để đảm bảo tính cách ly nhiệt và dễ dàng bảo trì. Để kiểm tra chất lượng, cần thực hiện kiểm tra trên 4 điểm trên wafer để đảm bảo độ đồng đều của quy trình xử lý. Sau khi lắp đặt, cần để hệ thống hoạt động một thời gian ngắn để ổn định chất lượng phát quang và kiểm soát quy trình một cách chính xác.