
Di bilik pengeluaran, tahap keberkesanan proses bergantung pada suhu yang digunakan. Jika suhu semasa proses pembakaran berubah-ubah, ia akan menyebabkan ketidakkonsistenan pada lebar garisan yang terbentuk. Adakah terdapat kawasan yang sejuk semasa proses oksidasi? Itulah yang menyebabkan lapisan oksida menjadi tidak stabil. Kami telah membina elemen pemanas khas untuk mengatasi masalah ini—kerana suhu perlu dikawal dengan teliti di tempat yang penting.
Apa yang penting dari segi teknikal
Kami menggunakan gelombang inframerah pendek bersama emitor kuarsa yang bertindak balas dengan cepat. Saiz emitor ini disesuaikan agar sesuai dengan diameter wafer dan saiz alat yang digunakan. Suhu di seluruh permukaan wafer kekal stabil pada tahap ±0.1°C. Kawalan suhu juga dilakukan secara berulang-ulang, agar profil fotorezist tetap konsisten dari satu kumpulan produk ke kumpulan yang lain. Keserasian dengan bilik bersih bukan sekadar slogan—kami menggunakan bahan yang mengeluarkan gas yang sangat sedikit, serta reka bentuk yang meminimumkan kehadiran zarah-zarah yang boleh merosakkan produk. Prestasi alat ini kekal stabil selama lebih dari 5,000 jam, dengan perubahan suhu yang kurang dari 5%.
Mengapa ia berkesan dalam proses pengeluaran
Dalam proses litografi, proses pembakaran yang perlahan digunakan untuk membuang pelarut dan mengurangkan tekanan pada lapisan filem. Dengan menggunakan elemen inframerah ini, tenaga yang digunakan adalah cepat dan seragam, sehingga lapisan fotorezist dapat kering secara merata. Kesan gelombang tetap berkurangan, dan kawalan ketebalan lapisan oksida menjadi lebih baik. Dalam proses oksidasi wafer, konsistensi suhu ini memastikan ketebalan lapisan oksida menjadi lebih seragam, dan mengurangkan keperluan untuk melakukan proses pembuatan semula. Penggunaan tenaga juga berkurangan kerana haba digunakan di tempat yang diperlukan, bukan untuk memanaskan bahagian yang tidak diperlukan. Kebolehpercayaan alat ini terbukti melalui pengurangan jumlah kerosakan dan masa henti yang tidak dirancang.
Butiran praktikal yang perlu diperhatikan
Toleransi pemasangan dan perbezaan emisiviti pada wafer yang dilapisi boleh menyebabkan perubahan fluks haba di kawasan tertentu. Oleh itu, gunakan peta haba untuk memastikan kualiti wafer. Jangan bergantung pada anggaran kasar sahaja. Elemen pemanas ini memerlukan sumber tenaga yang bersih dan kering, serta sokongan termal yang stabil. Jika ia tidak disusun dengan betul, ketidakkonsistenan akan berlaku dengan segera. Rancang ujian pendek untuk menyesuaikan kadar peningkatan suhu dan masa pemanasan mengikut keperluan lapisan filem tertentu.