در فرآیند تولید، کیفیت محصول به درجات مختلفی بستگی دارد. اگر دمای حرارتی تغییر کند، خطوط تشکیل شده روی ویفر ناهموار خواهند شد. وجود نقاط سرد در فرآیند اکسیداسیون نیز منجر به عدم پایداری لایه اکسیدی میشود. ما عناصر گرمایشی مورد استفاده در فرآیند اکسیداسیون ویفرها را طوری طراحی کردهایم که بتوانند با این مشکلات مقابله کنند؛ زیرا کنترل دمایی در این مرحله بسیار مهم است.
مواردی که از نظر فنی اهمیت دارند:
ما از امواج مادون قرمز با فرستندههای کوارتزی با پاسخگویی سریع استفاده میکنیم؛ اندازه این فرستندهها نیز متناسب با قطر ویفرها و محیط استفاده است. در سراسر ویفر، یکنواختی دما در حد ±۰٫۱ درجه سانتیگراد است؛ همچنین کنترل دما به گونهای است که پروفایل فوتورزیست در هر بار تولید یکنواخت باقی بماند. سازگاری با محیطهای تمیز نیز اهمیت زیادی دارد؛ ما از موادی با میزان گازهای خروجی بسیار کم و ساختارهایی با کمترین تعداد ذرات استفاده میکنیم تا بتوانیم در محیطهای کلاس ۱ تا ۱۰۰ کار کنیم. خروجی انرژی نیز در طول بیش از ۵۰۰۰ ساعت کار، پایدار باقی میماند و تغییرات دما کمتر از ۵٪ خواهد بود.
دلایل پایداری این روش در تولید:
در فرآیند لیتوگرافی، حرارت مورد نیاز برای حذف حلالها و کنترل تنشهای لایههای روی ویفر، توسط این عناصر گرمایشی تأمین میشود؛ این امر باعث میشود لایههای روی ویفر به طور یکنواخت خشک شوند. در فرآیند اکسیداسیون نیز، یکنواختی دما منجر به توزیع یکنواخت ضخامت لایه اکسیدی و کاهش نیاز به تولید مجدد میشود. مصرف انرژی نیز کاهش مییابد؛ زیرا حرارت در جای مناسب مصرف میشود و به گرم کردن بخشهای اضافی ویفر کمک نمیکند. قابلیت اطمینان این روش نیز در کاهش تعداد نقصها و توقفهای غیرمنتظره در تولید مشهود است.
جزئیات عملی که باید در نظر گرفته شوند:
تفاوتهای در استانداردهای نصب و میزان انتشار گرما در ویفرهای پوششدار، میتواند باعث تغییرات در جریان حرارتی شود؛ بنابراین باید از نقشههای حرارتی برای ارزیابی کیفیت ویفرها استفاده کرد. این عناصر گرمایشی نیاز به منبع انرژی تمیز و خشک و همچنین پایداری حرارتی دارند؛ اگر این عناصر به درستی موقعیتیابی نشوند، بلافاصله ناهمواختیهایی در دما ایجاد خواهد شد. همچنین باید یک آزمایش کوتاه انجام داد تا سرعت تغییر دما و زمان لازم برای پخت ویفرها برای لایههای خاص تنظیم شود.