http://ir-heat-global.com/uk/tags/%D0%B2%D1%96%D1%84%D0%BB%D0%B5%D1%94%D0%BC/ Recent content in Віфлеєм on Global Infrared Heating Systems Hugo uk Fri, 03 Jul 2026 09:17:45 +0800 http://ir-heat-global.com/uk/posts/why-use-infrared-for-wafer-processing/ Fri, 03 Jul 2026 09:17:45 +0800 http://ir-heat-global.com/uk/posts/why-use-infrared-for-wafer-processing/ <p><img src="http://ir-heat-global.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png" alt="Чому використовується інфрачервоне випромінювання для обробки пластин"></p> <p>На лінії виробництва тепловий дрейф проявляється не лише на графіках – він також негативно впливає на якість продукції. Зміна температури на 2°C під час процедури обробки фотополімеру може зруйнувати всі результати літографічного процесу. Якщо під час сушіння пластини утворюються „холодні зони“, то на поверхні з’являються смуги та частинки, які прилипають до поверхні пластини. Інфрачервоне нагрівання ефективно бореться з цими проблемами.</p> <p><strong>Що є важливим з технічної точки зору:</strong><br> Інфрачервоне випромінювання передає енергію саме там і у той момент, коли це необхідно, без необхідності підтримання високих температур у камері. Наші інфрачервоні джерела швидко нагрівають поверхню пластини, що дозволяє підтримувати стабільну температуру в межах ±0,1°C. Умови класу чистоти 1–100 можна досягти завдяки використанню матеріалів з низьким рівнем випаровування та відсутності випромінювання частинок. Процеси обробки фотополімеру проходять в межах жорстких толеранцій, а система розрахована на безперервну роботу 24/7 з можливістю планового технічного обслуговування, яке не порушує графік виробництва.</p> http://ir-heat-global.com/uk/posts/flux-evaporation-for-wafer-bump/ Thu, 02 Jul 2026 09:16:15 +0800 http://ir-heat-global.com/uk/posts/flux-evaporation-for-wafer-bump/ <p><img src="http://ir-heat-global.com/images/1764273a9805a56244015746cb190d47.png" alt="Потік випаровування для виступів на пластині"></p> <p>На етапі утворення виступів на поверхні пластини залишки флюксу не є лише косметичною проблемою – це також серйозна перешкода для ефективного процесу легування. Одна недостатньо гаряча зона в області випаровування флюксу призводить до того, що флюкс не може повністю вивітритися. Кульки паяльного матеріалу розташовуються неправильно, а профіль температури під час процесу легування змінюється. Ми розробили спеціальну систему для випаровування флюксу саме з урахуванням цих умов – коли температурний режим є критично важливим, а кожна пластина мусить пройти процедуру легування знову та знову.</p> http://ir-heat-global.com/uk/posts/wafer-oxidation-heating-element/ Thu, 18 Jun 2026 04:36:37 +0800 http://ir-heat-global.com/uk/posts/wafer-oxidation-heating-element/ <p><img src="http://ir-heat-global.com/images/0a976f8a438e1a813cc995e9355a4471.png" alt="Елемент нагріву для оксидування ваферів"></p> <p>На заводі продуктивність залежить від точності контролю температури. Якщо температура під час процесу нагрівання змінюється, це призводить до неоднорідності товщини шару. А якщо під час окислення виникають „холодні точки“, це також призводить до нестабільності структури оксиду. Ми розробили спеціальні елементи для нагріву пластин, які допомагають уникнути цих проблем – адже температура мусить контролюватися саме там, де це важливо.</p> <p><strong>Що є важливим з технічної точки зору</strong><br> Ми використовуємо короткохвильове інфрачервоне випромінювання з емітером на основі кварцу, який має правильні розміри для компенсації діаметру пластини та параметрів обладнання. Рівномірність температури на всій поверхні пластини становить ±0,1°C. Контроль температури забезпечує однорідність профілю фотоелектроліту в кожній партії продукції. Сумісність з чистими приміщеннями – це не просто слоган: ми використовуємо матеріали з мінімальним вивільненням газів та конструкції, які підходять для роботи в умовах класу чистоти 1–100. Ефективність пристрою залишається стабільною протягом понад 5 000 годин, а відхилення температури не перевищує 5%.</p> http://ir-heat-global.com/uk/posts/safety-distance-for-wafer-heating/ Wed, 17 Jun 2026 16:12:38 +0800 http://ir-heat-global.com/uk/posts/safety-distance-for-wafer-heating/ <p><img src="http://ir-heat-global.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png" alt="Безпечна відстань для нагрівання пластини"></p> <p>На станції літографії відстань між лампою та пластинкою є критично важливою – це параметр, який необхідно правильно налаштувати. Якщо відстань занадто мала, це призводить до теплового перегріву, випаровування фотополімеру та появи частинок. Якщо ж відстань занадто велика, це ускладнює процес обробки, оскільки для досягнення бажаних результатів потрібно більше енергії, а час обробки збільшується. Ми проектуємо наші нагрівальні модулі з урахуванням цієї відстані, вважаючи її ключовим параметром контролю процесу.</p> <p>Ми використовуємо короткочастотне інфрачервоне світло з кварцово-галогенним джерелом та емітером, виготовленим з вуглецевих волокон. Це забезпечує швидку реакцію на зміни температури при низькій тепломасі. У активній зоні однорідність температури на поверхні пластинки становить ±0,1°C. Повторюваність результатів забезпечується завдяки системі контролю температури. Платформа підходить для роботи в чистих приміщеннях класу 1–100. Матеріали та герметики вибираються так, щоб під час обробки не виникало жодних частинок. Профілі температурного контролю залишаються в межах допусків, оскільки температура залишається стабільною навіть під час зміни пластинок.</p>