Elemento riscaldante per ossidazione dei wafer

Thu, 18 Jun 2026 04:36:37 +0800

Nella fase di produzione dei wafer, l’efficienza dipende da fattori legati alla temperatura. Una variazione nella temperatura di cottura può causare disparità nelle caratteristiche dei fili metallici presenti sui wafer. Un punto freddo durante il processo di ossidazione? Questo provoca un ossido instabile sulla superficie dei wafer. Abbiamo progettato gli elementi di riscaldamento per gestire esattamente queste situazioni: infatti, è fondamentale mantenere sotto controllo i parametri termici proprio nei punti più critici.

Cosa è importante dal punto di vista tecnico
Utilizziamo raggi infrarossi a breve lunghezza d’onda, con emettitori in quarzo ad alta risposta, dimensionati in modo da adattarsi ai diametri dei wafer e alle caratteristiche degli strumenti utilizzati. La uniformità della temperatura su tutta la superficie del wafer rimane entro valori di ±0,1°C; inoltre, il controllo della velocità di riscaldamento garantisce che il profilo del fotorestatore rimanga costante ogni volta che si produce un nuovo lotti di wafer. La compatibilità con l’ambiente di lavorazione in ambiente pulito non è solo una promessa: utilizziamo materiali con bassissima emissione di gas e una geometria che riduce al minimo la presenza di particelle, permettendo così di operare in ambienti di classe 1–100. L’output rimane stabile per oltre 5.000 ore, con una variazione della temperatura inferiore al 5%.

Ossidazione on Global Infrared Heating Systems

Elemento riscaldante per ossidazione dei wafer