Lampada di riscaldamento per wafer di dispositivi di potenza

Mon, 08 Jun 2026 05:20:31 +0800

Sulla linea di produzione, una variazione di 1°C durante la soft bake modifica il profilo del photoresist. Se la hard bake è leggermente troppo calda, si noterà scumming dopo lo sviluppo. I wafer per dispositivi di potenza presentano die ampi e un budget termico ristretto, quindi qualsiasi non uniformità di temperatura si manifesta come edge bead, controllo CD impreciso e perdite di resa non recuperabili.

Cosa conta davvero nel processo

Il riscaldatore del wafer per dispositivi di potenza è costruito attorno a emettitori a infrarosso a onde corte in quarzo—risposta rapida, emissione stabile. Il profilo termico mantiene ±0,1°C su tutta la superficie del wafer, così soft bake e hard bake rimangono entro le specifiche, turno dopo turno. Il sistema è compatibile con cleanroom Class 1–100, senza generazione di particelle dall’assemblaggio della lampada e con un design sigillato a bassa emissione di gas. La ripetibilità dell’emissione rimane stabile oltre 5.000 ore, con una perdita inferiore al 5%, mantenendo stabile la finestra di processo.

Dispositivo on Global Infrared Heating Systems

Lampada di riscaldamento per wafer di dispositivi di potenza