Wafer Oxidationsheizelement

Thu, 18 Jun 2026 04:36:37 +0800

In der Fertigung hängt die Qualität der Produkte von den Temperaturen ab. Eine Abweichung der Back-Temperatur führt dazu, dass die Linienbreiten unregelmäßig werden. Ein kühler Punkt während der Oxidationsphase? Das führt zu einem instabilen Gate-Oxid. Wir haben unsere Heizelemente dafür entwickelt, genau solche Probleme zu vermeiden – schließlich muss die Wärmeentwicklung genau kontrolliert werden.

Was technisch wichtig ist: Wir verwenden Kurzwellen-Infrarotstrahlung mit einem schnell reagierenden Quarzemitter. Die Größe des Emitters entspricht dem Durchmesser der Wafer sowie den Abmessungen der Anlage. Über die gesamte Fläche der Wafer bleibt die Temperatur innerhalb von ±0,1°C konstant. Zudem wird die Temperatur kontinuierlich geregelt, sodass das Profil des Photoresists von Charge zu Charge konstant bleibt. Die Kompatibilität mit Reinräumen ist kein leeres Versprechen – wir verwenden Materialien mit extrem niedrigem Ausgasungsgrad sowie eine Geometrie, die in Umgebungen der Klassen 1–100 funktioniert. Die Leistung bleibt über 5.000 Stunden hinweg konstant, wobei die Abweichungen unter 5% liegen.

Oxidation on Global Infrared Heating Systems

Wafer Oxidationsheizelement